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S29CD016J1MDGH114

S29CD016J1MDGH114

Solo per riferimento

Numero parte S29CD016J1MDGH114
PNEDA Part # S29CD016J1MDGH114
Descrizione IC FLASH 16M PARALLEL 56MHZ DIE
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29CD016J1MDGH114 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29CD016J1MDGH114
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29CD016J1MDGH114, S29CD016J1MDGH114 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 637,29 KB)
PDFS29CD016J1JDGH017 Datasheet Copertura
S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 2 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 3 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 4 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 5 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 6 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 7 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 8 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 9 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 10 S29CD016J1JDGH017 Datasheet Pagina 11

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S29CD016J1MDGH114 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieCD-J
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (512K x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock56MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina60ns
Tempo di accesso54ns
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 2.75V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 145°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

MT41K256M16TW-107 AT:P

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

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MT47H64M8SH-25E:H TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

512M (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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