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S25FL116K0XMFA011

S25FL116K0XMFA011

Solo per riferimento

Numero parte S25FL116K0XMFA011
PNEDA Part # S25FL116K0XMFA011
Descrizione IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8SO
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.354
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S25FL116K0XMFA011 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS25FL116K0XMFA011
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S25FL116K0XMFA011, S25FL116K0XMFA011 Datasheet (Totale pagine: 90, Dimensioni: 3.056,42 KB)
PDFS25FL116K0XMFB041 Datasheet Copertura
S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 2 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 3 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 4 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 5 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 6 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 7 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 8 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 9 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 10 S25FL116K0XMFB041 Datasheet Pagina 11

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S25FL116K0XMFA011 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieAutomotive, AEC-Q100, FL1-K
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.3ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

71V65903S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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