S1PJHM3J/84A
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| Numero parte | S1PJHM3J/84A |
| PNEDA Part # | S1PJHM3J-84A |
| Descrizione | DIODE GPP 1A 600V DO-220AA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.868 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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S1PJHM3J/84A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S1PJHM3J/84A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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S1PJHM3J/84A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 6pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-220AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-220AA (SMP) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 95A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 267A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 180°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 250mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 200V Capacità @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore LLDS; MiniMelf Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 7A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 670mV @ 7A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 50V Capacità @ Vr, F 560pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
