S1JTR
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| Numero parte | S1JTR |
| PNEDA Part # | S1JTR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA |
| Produttore | SMC Diode Solutions |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 1.159.104 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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S1JTR Risorse
| Brand | SMC Diode Solutions |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S1JTR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S1JTR Specifiche
| Produttore | SMC Diode Solutions |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 14.6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 650V Capacità @ Vr, F 1107pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-276AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-276 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 250°C |
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Produttore Sanken Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 4V @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 200ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
