S1BB R5G
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| Numero parte | S1BB R5G |
| PNEDA Part # | S1BB-R5G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.912 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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S1BB R5G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S1BB R5G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S1BB R5G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/578 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 75V Corrente - Media Rettificata (Io) 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 75V Capacità @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, B Pacchetto dispositivo fornitore D-5B Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1.2A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123H Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123HE Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 630mV @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 35V Capacità @ Vr, F 1400pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 500V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 500V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
