S12KCHR7G
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| Numero parte | S12KCHR7G |
| PNEDA Part # | S12KCHR7G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.384 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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S12KCHR7G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | S12KCHR7G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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S12KCHR7G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | 78pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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