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RX1214B300Y,114

RX1214B300Y,114

Solo per riferimento

Numero parte RX1214B300Y,114
PNEDA Part # RX1214B300Y-114
Descrizione RF TRANS NPN 60V 1.4GHZ CDFM2
Produttore Ampleon
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.336
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RX1214B300Y Risorse

Brand Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRX1214B300Y,114
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
RX1214B300Y, RX1214B300Y Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 64,77 KB)
PDFRX1214B300Y Datasheet Copertura
RX1214B300Y Datasheet Pagina 2 RX1214B300Y Datasheet Pagina 3 RX1214B300Y Datasheet Pagina 4 RX1214B300Y Datasheet Pagina 5 RX1214B300Y Datasheet Pagina 6 RX1214B300Y Datasheet Pagina 7 RX1214B300Y Datasheet Pagina 8 RX1214B300Y Datasheet Pagina 9 RX1214B300Y Datasheet Pagina 10 RX1214B300Y Datasheet Pagina 11

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RX1214B300Y Specifiche

ProduttoreAmpleon USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Frequenza - Transizione1.4GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8dB
Potenza - Max570W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)21A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-439A
Pacchetto dispositivo fornitoreCDFM2

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

67 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2001

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

MMBTH10-4LT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

BFS17NQTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

11V

Frequenza - Transizione

3.2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

310mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

2N5770_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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