RT1C060UNTR
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| Numero parte | RT1C060UNTR |
| PNEDA Part # | RT1C060UNTR |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 6A TSST8 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.436 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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RT1C060UNTR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RT1C060UNTR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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RT1C060UNTR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 650mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSST |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
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