RSF015N06TL
Solo per riferimento
| Numero parte | RSF015N06TL |
| PNEDA Part # | RSF015N06TL |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.298 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RSF015N06TL Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | RSF015N06TL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- RSF015N06TL Datasheet
- where to find RSF015N06TL
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor RSF015N06TL
- RSF015N06TL PDF Datasheet
- RSF015N06TL Stock
- RSF015N06TL Pinout
- Datasheet RSF015N06TL
- RSF015N06TL Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- RSF015N06TL Price
- RSF015N06TL Distributor
RSF015N06TL Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT3 |
| Pacchetto / Custodia | 3-SMD, Flat Leads |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-3 Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 490mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 210mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Pacchetto / Custodia 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™, Polar™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2590pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.85mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerSMD, Flat Leads |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 74A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
