RQK0607AQDQS#H1
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| Numero parte | RQK0607AQDQS#H1 |
| PNEDA Part # | RQK0607AQDQS-H1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.124 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQK0607AQDQS#H1 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQK0607AQDQS#H1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RQK0607AQDQS#H1, RQK0607AQDQS#H1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 134,1 KB)
  
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RQK0607AQDQS#H1 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
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