RQA0005QXDQS#H1
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| Numero parte | RQA0005QXDQS#H1 |
| PNEDA Part # | RQA0005QXDQS-H1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH UPAK |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.006 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQA0005QXDQS#H1 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQA0005QXDQS#H1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RQA0005QXDQS#H1, RQA0005QXDQS#H1 Datasheet
(Totale pagine: 15, Dimensioni: 203,07 KB)
  
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RQA0005QXDQS#H1 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 16V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 9W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
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