RQA0002DNSTB-E
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| Numero parte | RQA0002DNSTB-E |
| PNEDA Part # | RQA0002DNSTB-E |
| Descrizione | MOSFET N-CH HWSON2 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.928 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQA0002DNSTB-E Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQA0002DNSTB-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RQA0002DNSTB-E, RQA0002DNSTB-E Datasheet
(Totale pagine: 18, Dimensioni: 183,74 KB)
  
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RQA0002DNSTB-E Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 16V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 15W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 2-HWSON (5x4) |
| Pacchetto / Custodia | 3-DFN Exposed Pad |
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