Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Solo per riferimento

Numero parte RQ6E055BNTCR
PNEDA Part # RQ6E055BNTCR
Descrizione MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.500
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RQ6E055BNTCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRQ6E055BNTCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • RQ6E055BNTCR Datasheet
  • where to find RQ6E055BNTCR
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR
  • RQ6E055BNTCR PDF Datasheet
  • RQ6E055BNTCR Stock

  • RQ6E055BNTCR Pinout
  • Datasheet RQ6E055BNTCR
  • RQ6E055BNTCR Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • RQ6E055BNTCR Price
  • RQ6E055BNTCR Distributor

RQ6E055BNTCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds355pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT6 (SC-95)
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

I prodotti a cui potresti essere interessato

IPP100N06S3-03

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 230µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

480nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21620pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRF630STRL

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 74W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AON6276

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4940pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

215W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

PHK18NQ03LT,518

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRLMS1902TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro6™(TSOP-6)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Venduto di recente

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

SRN8040TA-100M

SRN8040TA-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 4.6A 33 MOHM SMD

V48C3V3C75BL

V48C3V3C75BL

Vicor

DC DC CONVERTER 3.3V 75W

MAX3491EESD+T

MAX3491EESD+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

EPM2210F256I5N

EPM2210F256I5N

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

SSM2305RMZ-R2

SSM2305RMZ-R2

Analog Devices

IC AMP AUDIO 2.8W MONO D 8MSOP

B3S-1102

B3S-1102

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

RB481KTL

RB481KTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD4

AT89S52-24PU

AT89S52-24PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 40DIP

MMA8452QR1

MMA8452QR1

NXP

ACCELEROMETER 2-8G I2C 16QFN

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

NPT1012B

NPT1012B

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ