RN4990(T5L,F,T)
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| Numero parte | RN4990(T5L,F,T) |
| PNEDA Part # | RN4990-T5L-F-T |
| Descrizione | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 26.718 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN4990(T5L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN4990(T5L,F,T) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
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RN4990(T5L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100µA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz, 200MHz |
| Potenza - Max | 200mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 170MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore ES6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
