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RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

Solo per riferimento

Numero parte RN2104ACT(TPL3)
PNEDA Part # RN2104ACT-TPL3
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
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RN2104ACT(TPL3) Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRN2104ACT(TPL3)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

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RN2104ACT(TPL3) Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)47 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max100mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitoreCST3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75

FJY4010R

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523F

DTA013ZMT2L

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MMUN2114LT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

246mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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