RN1908FE(TE85L,F)
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| Numero parte | RN1908FE(TE85L,F) |
| PNEDA Part # | RN1908FE-TE85L-F |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.088 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1908FE(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1908FE(TE85L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
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RN1908FE(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-666 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore ES6 |
