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RMLV1616AGBG-5S2#AC0

RMLV1616AGBG-5S2#AC0

Solo per riferimento

Numero parte RMLV1616AGBG-5S2#AC0
PNEDA Part # RMLV1616AGBG-5S2-AC0
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario
1 ---------- $268,3795
50 ---------- $255,7992
100 ---------- $243,2189
200 ---------- $230,6387
400 ---------- $220,1551
500 ---------- $209,6715
Disponibile 1.243
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RMLV1616AGBG-5S2#AC0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRMLV1616AGBG-5S2#AC0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RMLV1616AGBG-5S2#AC0, RMLV1616AGBG-5S2#AC0 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 340,13 KB)
PDFRMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Copertura
RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 2 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 3 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 4 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 5 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 6 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 7 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 8 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 9 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 10 RMLV1616AGSD-5S2#HC0 Datasheet Pagina 11

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RMLV1616AGBG-5S2#AC0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (7.5x8.5)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

CAT24C08WI-GT3JN

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IDT71256SA20YI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

IDT71V416L10Y

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

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