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RMLV0816BGBG-4S2#KC0

RMLV0816BGBG-4S2#KC0

Solo per riferimento

Numero parte RMLV0816BGBG-4S2#KC0
PNEDA Part # RMLV0816BGBG-4S2-KC0
Descrizione IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.802
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRMLV0816BGBG-4S2#KC0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RMLV0816BGBG-4S2#KC0, RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 330,65 KB)
PDFRMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Copertura
RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 2 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 3 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 4 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 5 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 6 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 7 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 8 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 9 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 10 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Datasheet Pagina 11

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RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (7.5x8.5)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

266MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

500ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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