RM25C512C-LSNI-T
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| Numero parte | RM25C512C-LSNI-T |
| PNEDA Part # | RM25C512C-LSNI-T |
| Descrizione | IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC |
| Produttore | Adesto Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.382 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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RM25C512C-LSNI-T Risorse
| Brand | Adesto Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RM25C512C-LSNI-T |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
RM25C512C-LSNI-T, RM25C512C-LSNI-T Datasheet
(Totale pagine: 32, Dimensioni: 2.345,81 KB)
  
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RM25C512C-LSNI-T Specifiche
| Produttore | Adesto Technologies |
| Serie | Mavriq™ |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | CBRAM® |
| Tecnologia | CBRAM |
| Dimensione della memoria | 512kb (128B Page Size) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 20MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 100µs, 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.65V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 20ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-TSOP II |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4.2ns Tensione - Alimentazione 3.15V ~ 3.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 128-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 128-TQFP (14x20) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 54-TSOP II |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (1K x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 2MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP-J |
