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RM25C256C-LTAI-B

RM25C256C-LTAI-B

Solo per riferimento

Numero parte RM25C256C-LTAI-B
PNEDA Part # RM25C256C-LTAI-B
Descrizione IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 26 - lug 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C256C-LTAI-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C256C-LTAI-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C256C-LTAI-B, RM25C256C-LTAI-B Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 2.314,02 KB)
PDFRM25C256C-LTAI-B Datasheet Copertura
RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 2 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 3 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 4 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 5 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 6 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 7 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 8 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 9 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 10 RM25C256C-LTAI-B Datasheet Pagina 11

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RM25C256C-LTAI-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria256kb (64B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

CG8102AAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

24LC02BH-E/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

PC28F00AM29EWLE

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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