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RM25C128A-BTAC-B

RM25C128A-BTAC-B

Solo per riferimento

Numero parte RM25C128A-BTAC-B
PNEDA Part # RM25C128A-BTAC-B
Descrizione IC CBRAM 128K SPI 5MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.290
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM25C128A-BTAC-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM25C128A-BTAC-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM25C128A-BTAC-B, RM25C128A-BTAC-B Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 973,98 KB)
PDFRM25C128A-BTAC-B Datasheet Copertura
RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 2 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 3 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 4 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 5 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 6 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 7 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 8 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 9 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 10 RM25C128A-BTAC-B Datasheet Pagina 11

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RM25C128A-BTAC-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria128kb (64B Page Size)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock5MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1.152Mb (32K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT24C512BW-SH-B

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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