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RM24EP32B-BSNC-T

RM24EP32B-BSNC-T

Solo per riferimento

Numero parte RM24EP32B-BSNC-T
PNEDA Part # RM24EP32B-BSNC-T
Descrizione IC CBRAM 32K I2C 1MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.934
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM24EP32B-BSNC-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM24EP32B-BSNC-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM24EP32B-BSNC-T, RM24EP32B-BSNC-T Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 813,17 KB)
PDFRM24EP64B-BSNC-T Datasheet Copertura
RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 2 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 3 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 4 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 5 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 6 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 7 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 8 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 9 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 10 RM24EP64B-BSNC-T Datasheet Pagina 11

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  • RM24EP32B-BSNC-T Distributor

RM24EP32B-BSNC-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria32kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

17ns

Tempo di accesso

17ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

AT24C32CN-SH-B

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

71V67603S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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