RJS6004TDPN-EJ#YJ1
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| Numero parte | RJS6004TDPN-EJ#YJ1 |
| PNEDA Part # | RJS6004TDPN-EJ-YJ1 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY TO220FP |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.454 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJS6004TDPN-EJ#YJ1 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJS6004TDPN-EJ#YJ1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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RJS6004TDPN-EJ#YJ1 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB-2L |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F 6pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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