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RJP60D0DPM-00#T1

RJP60D0DPM-00#T1

Solo per riferimento

Numero parte RJP60D0DPM-00#T1
PNEDA Part # RJP60D0DPM-00-T1
Descrizione IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.238
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJP60D0DPM-00#T1 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJP60D0DPM-00#T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJP60D0DPM-00#T1, RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 75,67 KB)
PDFRJP60D0DPM-00#T1 Datasheet Copertura
RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 2 RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 3 RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 4 RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 5 RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 6 RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 7

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RJP60D0DPM-00#T1 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 22A
Potenza - Max40W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge45nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C35ns/90ns
Condizione di test300V, 22A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3PFM, SC-93-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PFM

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

1.19mJ (on), 460µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/112ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG8P45N65UD1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

270W

Switching Energy

1.59mJ (on), 750µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/173ns

Condizione di test

400V, 50A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Potenza - Max

416W

Switching Energy

1.96mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

179nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

47ns/310ns

Condizione di test

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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