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RJP6085DPK-00#T0

RJP6085DPK-00#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJP6085DPK-00#T0
PNEDA Part # RJP6085DPK-00-T0
Descrizione IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.500
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Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJP6085DPK-00#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJP6085DPK-00#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJP6085DPK-00#T0, RJP6085DPK-00#T0 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 118,51 KB)
PDFRJP6085DPK-00#T0 Datasheet Copertura
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RJP6085DPK-00#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 40A
Potenza - Max178.5W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 16A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

9.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

78nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/400ns

Condizione di test

1360V, 16A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Potenza - Max

695W

Switching Energy

2mJ (on), 950µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/90ns

Condizione di test

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA Variation

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXXK)

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 28A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

92nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/210ns

Condizione di test

960V, 28A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Potenza - Max

480W

Switching Energy

1.1mJ (on), 21mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/250ns

Condizione di test

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

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650V

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13.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/69ns

Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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