RJM0603JSC-00#12
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| Numero parte | RJM0603JSC-00#12 |
| PNEDA Part # | RJM0603JSC-00-12 |
| Descrizione | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.754 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJM0603JSC-00#12 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJM0603JSC-00#12 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
RJM0603JSC-00#12, RJM0603JSC-00#12 Datasheet
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RJM0603JSC-00#12 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Potenza - Max | 54W |
| Temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 20-HSOP |
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