RJK1002DPP-E0#T2
Solo per riferimento
| Numero parte | RJK1002DPP-E0#T2 |
| PNEDA Part # | RJK1002DPP-E0-T2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 70A TO220 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.784 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RJK1002DPP-E0#T2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | RJK1002DPP-E0#T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RJK1002DPP-E0#T2, RJK1002DPP-E0#T2 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 78,75 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- RJK1002DPP-E0#T2 Datasheet
- where to find RJK1002DPP-E0#T2
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America RJK1002DPP-E0#T2
- RJK1002DPP-E0#T2 PDF Datasheet
- RJK1002DPP-E0#T2 Stock
- RJK1002DPP-E0#T2 Pinout
- Datasheet RJK1002DPP-E0#T2
- RJK1002DPP-E0#T2 Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- RJK1002DPP-E0#T2 Price
- RJK1002DPP-E0#T2 Distributor
RJK1002DPP-E0#T2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6450pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5118pF @ 13V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Dual Cool™56 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 714W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 923pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 5.55mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 281nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8500pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
