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RJH65D27BDPQ-A0#T2

RJH65D27BDPQ-A0#T2

Solo per riferimento

Numero parte RJH65D27BDPQ-A0#T2
PNEDA Part # RJH65D27BDPQ-A0-T2
Descrizione IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.968
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH65D27BDPQ-A0#T2 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH65D27BDPQ-A0#T2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH65D27BDPQ-A0#T2, RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 582,3 KB)
PDFRJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Copertura
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 2 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 3 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 4 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 5 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 6 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 7 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 8 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 9 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 10 RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet Pagina 11

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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 50A
Potenza - Max375W
Switching Energy1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge175nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/165ns
Condizione di test400V, 50A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)80ns
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247A

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600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

428W

Switching Energy

2mJ (on), 2.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

470nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/330ns

Condizione di test

400V, 75A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

6.1mJ (on), 3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 40A, 39Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

14A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

590µJ (on), 180µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/220ns

Condizione di test

850V, 6A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

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-

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 50A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

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