RJH65D27BDPQ-A0#T2

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Numero parte | RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
PNEDA Part # | RJH65D27BDPQ-A0-T2 |
Descrizione | IGBT TRENCH 650V 100A TO247A |
Produttore | Renesas Electronics America |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.968 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Risorse
Brand | Renesas Electronics America |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
Datasheet |
RJH65D27BDPQ-A0#T2, RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 582,3 KB)
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Specifiche
Produttore | Renesas Electronics America |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 50A |
Potenza - Max | 375W |
Switching Energy | 1mJ (on), 1.5mJ (off) |
Tipo di ingresso | Standard |
Gate Charge | 175nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/165ns |
Condizione di test | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247A |
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