RJH65D27BDPQ-A0#T2
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| Numero parte | RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
| PNEDA Part # | RJH65D27BDPQ-A0-T2 |
| Descrizione | IGBT TRENCH 650V 100A TO247A |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.968 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
RJH65D27BDPQ-A0#T2, RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datasheet
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 375W |
| Switching Energy | 1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 175nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/165ns |
| Condizione di test | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247A |
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