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RJH65D27BDPQ-A0#T0

RJH65D27BDPQ-A0#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH65D27BDPQ-A0#T0
PNEDA Part # RJH65D27BDPQ-A0-T0
Descrizione IGBT 650V
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.660
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH65D27BDPQ-A0#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH65D27BDPQ-A0#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RJH65D27BDPQ-A0#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingresso-
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Potenza - Max

370W

Switching Energy

350µJ (on), 825µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/185ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

550A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

1140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

Potenza - Max

2300W

Switching Energy

3.45mJ (on), 2.86mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

460nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/190ns

Condizione di test

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXXK)

STGFL6NC60DI

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Potenza - Max

22W

Switching Energy

32µJ (on), 24µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

6.7ns/46ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

23ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

116A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

750A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

400nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Potenza - Max

40W

Switching Energy

300µJ (on), 1.28mJ (off)

Tipo di ingresso

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Gate Charge

96nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21.5ns/180ns

Condizione di test

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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