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RJH60F6BDPQ-A0#T0

RJH60F6BDPQ-A0#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH60F6BDPQ-A0#T0
PNEDA Part # RJH60F6BDPQ-A0-T0
Descrizione IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
Produttore Renesas Electronics America
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Disponibile 6.024
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Consegna stimata mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60F6BDPQ-A0#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60F6BDPQ-A0#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60F6BDPQ-A0#T0, RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 96,09 KB)
PDFRJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Copertura
RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 2 RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 3 RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 4 RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 5 RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 6 RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 7 RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 8 RJH60F6BDPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 9

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  • RJH60F6BDPQ-A0#T0 Distributor

RJH60F6BDPQ-A0#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)85A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 45A
Potenza - Max297.6W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C58ns/131ns
Condizione di test400V, 30A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247A

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

360V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

44A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 4V, 6A

Potenza - Max

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Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

20nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5.4µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK (TO-262)

IRG6I330UPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 28A

Potenza - Max

43W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

86nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/120ns

Condizione di test

196V, 25A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/540ns

Condizione di test

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 6A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

1.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

20nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/250ns

Condizione di test

1360V, 6A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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