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RJH60D6DPK-00#T0

RJH60D6DPK-00#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH60D6DPK-00#T0
PNEDA Part # RJH60D6DPK-00-T0
Descrizione IGBT 600V 80A 260W TO3P
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.618
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60D6DPK-00#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60D6DPK-00#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60D6DPK-00#T0, RJH60D6DPK-00#T0 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 101,75 KB)
PDFRJH60D6DPK-00#T0 Datasheet Copertura
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  • RJH60D6DPK-00#T0 Distributor

RJH60D6DPK-00#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A
Potenza - Max260W
Switching Energy850µJ (on), 600µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge104nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/160ns
Condizione di test300V, 40A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

1.19mJ (on), 460µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/112ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

ISL9V5036P3-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/10.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

APT43GA90B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

129A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 25A

Potenza - Max

337W

Switching Energy

875µJ (on), 425µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

116nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/82ns

Condizione di test

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

SKP15N60XKSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

139W

Switching Energy

570µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

76nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/234ns

Condizione di test

400V, 15A, 21Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

279ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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