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RJH1BG7RDPK-00#T0

RJH1BG7RDPK-00#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH1BG7RDPK-00#T0
PNEDA Part # RJH1BG7RDPK-00-T0
Descrizione IGBT 1100V 60A 250W TO247
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.064
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH1BG7RDPK-00#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH1BG7RDPK-00#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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  • RJH1BG7RDPK-00#T0 Distributor

RJH1BG7RDPK-00#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingresso-
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

42ns/230ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IGC70T120T8RQ

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 75A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

STGWT30H60DFB

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

383µJ (on), 293µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

149nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/146ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

53ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Produttore

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Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

170W

Switching Energy

830µJ (on), 450µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

115nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/70ns

Condizione di test

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

187W

Switching Energy

770µJ

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Gate Charge

167nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/254ns

Condizione di test

400V, 30A, 10.6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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