RJ1G08CGNTLL
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Numero parte | RJ1G08CGNTLL |
PNEDA Part # | RJ1G08CGNTLL |
Descrizione | RJ1G08CGN IS A POWER MOSFET WITH |
Produttore | Rohm Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.552 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJ1G08CGNTLL Risorse
Brand | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | RJ1G08CGNTLL |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RJ1G08CGNTLL Specifiche
Produttore | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 20V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Ta) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LPTL |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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