RHP020N06T100
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| Numero parte | RHP020N06T100 |
| PNEDA Part # | RHP020N06T100 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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RHP020N06T100 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RHP020N06T100 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RHP020N06T100, RHP020N06T100 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 1.034,59 KB)
  
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RHP020N06T100 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
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