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RGT8BM65DTL

RGT8BM65DTL

Solo per riferimento

Numero parte RGT8BM65DTL
PNEDA Part # RGT8BM65DTL
Descrizione IGBT 650V 8A 62W TO-252
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGT8BM65DTL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGT8BM65DTL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGT8BM65DTL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
Potenza - Max62W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge13.5nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C17ns/69ns
Condizione di test400V, 4A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)40ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252

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Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Potenza - Max

1040W

Switching Energy

3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

358nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/418ns

Condizione di test

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Produttore

IXYS

Serie

Lightspeed™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/150ns

Condizione di test

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

NGTB20N120IHSWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

650µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

155nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/160ns

Condizione di test

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRG4RC10SDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

76ns/815ns

Condizione di test

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

STGF3NB60FD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

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25W

Switching Energy

125µJ (off)

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Gate Charge

16nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12.5ns/105ns

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45ns

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