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RB238NS150FHTL

RB238NS150FHTL

Solo per riferimento

Numero parte RB238NS150FHTL
PNEDA Part # RB238NS150FHTL
Descrizione DIODE (RECTIFIER FRD) 150V-VR 40
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $13,5526
100 ---------- $12,9174
250 ---------- $12,2821
500 ---------- $11,6468
750 ---------- $11,1174
1.000 ---------- $10,5880
Disponibile 3.642
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RB238NS150FHTL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRB238NS150FHTL
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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RB238NS150FHTL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)150V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If920mV @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)20.2ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr30µA @ 150V
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreLPDS

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

80A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 80A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.5mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D61-3SM

Pacchetto dispositivo fornitore

D61-3SM

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 400V

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 300A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

MBRT60080

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

600A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

980mV @ 2.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

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