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R9G01012XX

R9G01012XX

Solo per riferimento

Numero parte R9G01012XX
PNEDA Part # R9G01012XX
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1200A DO200AB
Produttore Powerex Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R9G01012XX Risorse

Brand Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR9G01012XX
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
R9G01012XX, R9G01012XX Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 437,4 KB)
PDFR9G04412XX Datasheet Copertura
R9G04412XX Datasheet Pagina 2 R9G04412XX Datasheet Pagina 3 R9G04412XX Datasheet Pagina 4

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R9G01012XX Specifiche

ProduttorePowerex Inc.
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)1200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.45V @ 1500A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr150mA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaDO-200AB, B-PUK
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-200AB, B-PUK
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

28pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 125°C

MSS1P3U-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.2mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

MicroSMP

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroSMP

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

SB140

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-60°C ~ 125°C

ES2DHE3J/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

HFA105NH60R

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

105A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 105A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

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