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R9G00612XX

R9G00612XX

Solo per riferimento

Numero parte R9G00612XX
PNEDA Part # R9G00612XX
Descrizione DIODE GP 600V 1200A DO200AB
Produttore Powerex Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.968
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R9G00612XX Risorse

Brand Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR9G00612XX
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
R9G00612XX, R9G00612XX Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 437,4 KB)
PDFR9G04412XX Datasheet Copertura
R9G04412XX Datasheet Pagina 2 R9G04412XX Datasheet Pagina 3 R9G04412XX Datasheet Pagina 4

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R9G00612XX Specifiche

ProduttorePowerex Inc.
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)1200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.45V @ 1500A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr150mA @ 600V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaDO-200AB, B-PUK
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-200AB, B-PUK
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

125V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1nA @ 125V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

183NQ100R

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

180A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 180A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4.5mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

4150pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67 HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

HALF-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

CDBMH2100-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

160pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123T

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123T

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

XBS306P11R-G

Torex Semiconductor Ltd

Produttore

Torex Semiconductor Ltd

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

ES1CL R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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