R6030JNZC8
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| Numero parte | R6030JNZC8 |
| PNEDA Part # | R6030JNZC8 |
| Descrizione | NCH 600V 30A POWER MOSFET; R6030 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.554 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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R6030JNZC8 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | R6030JNZC8 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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R6030JNZC8 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 143mOhm @ 15A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 7V @ 5.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 93W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3 Full Pack |
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