R6009JND3TL1
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| Numero parte | R6009JND3TL1 |
| PNEDA Part # | R6009JND3TL1 |
| Descrizione | R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.496 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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R6009JND3TL1 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | R6009JND3TL1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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R6009JND3TL1 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4.5A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 7V @ 1.38mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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