R1RW0416DGE-2PR#B0
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| Numero parte | R1RW0416DGE-2PR#B0 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | R1RW0416DGE-2PR-B0 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 4M FAST 44-SOJ | ||||||||||||||||||
| Produttore | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 100 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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R1RW0416DGE-2PR#B0 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | R1RW0416DGE-2PR#B0 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
R1RW0416DGE-2PR#B0, R1RW0416DGE-2PR#B0 Datasheet
(Totale pagine: 19, Dimensioni: 162,23 KB)
  
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R1RW0416DGE-2PR#B0 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 12ns |
| Tempo di accesso | 12ns |
| Tensione - Alimentazione | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
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