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R1LV1616RBG-7SI#S0

R1LV1616RBG-7SI#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV1616RBG-7SI#S0
PNEDA Part # R1LV1616RBG-7SI-S0
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV1616RBG-7SI#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV1616RBG-7SI#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV1616RBG-7SI#S0, R1LV1616RBG-7SI#S0 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 132,28 KB)
PDFR1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Copertura
R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV1616RBG-7SI#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FBGA (7.5x8.5)

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP I

DS1220AB-150IND+

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150ns

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-EDIP

CY62148EV30LL-55ZSXET

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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