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R1LV0808ASB-5SI#S0

R1LV0808ASB-5SI#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV0808ASB-5SI#S0
PNEDA Part # R1LV0808ASB-5SI-S0
Descrizione IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.556
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV0808ASB-5SI#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV0808ASB-5SI#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV0808ASB-5SI#S0, R1LV0808ASB-5SI#S0 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 227,35 KB)
PDFR1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Copertura
R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV0808ASB-7SI#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV0808ASB-5SI#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS42RM32160E-75BLI

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-CLCC

Pacchetto dispositivo fornitore

32-LCC (11.43x13.97)

AT28BV64-30JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

300ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

S29GL128P90TFCR23

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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