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R1LV0208BSA-7SI#S0

R1LV0208BSA-7SI#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV0208BSA-7SI#S0
PNEDA Part # R1LV0208BSA-7SI-S0
Descrizione IC SRAM 2MBIT 70NS 32TSOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV0208BSA-7SI#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV0208BSA-7SI#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV0208BSA-7SI#S0, R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 186,02 KB)
PDFR1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Copertura
R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV0208BSA-7SI#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-sTSOP

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Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.1V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

65ns

Tempo di accesso

65ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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70V24L25PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

CY14B256LA-SP45XIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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