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R1LV0108ESN-5SR#S0

R1LV0108ESN-5SR#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV0108ESN-5SR#S0
PNEDA Part # R1LV0108ESN-5SR-S0
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV0108ESN-5SR#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV0108ESN-5SR#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV0108ESN-5SR#S0, R1LV0108ESN-5SR#S0 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 190,73 KB)
PDFR1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV0108ESN-5SR#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOP

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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SST39VF400A-70-4C-B3KE

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-miniBGA (6x8)

CY14B256L-SP35XIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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