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R1LP5256ESP-7SR#S0

R1LP5256ESP-7SR#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LP5256ESP-7SR#S0
PNEDA Part # R1LP5256ESP-7SR-S0
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.376
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LP5256ESP-7SR#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LP5256ESP-7SR#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LP5256ESP-7SR#S0, R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 239,19 KB)
PDFR1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LP5256ESP-7SR#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOP

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Micron Technology Inc.

Serie

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

40-TSOP

MT48H16M32L2B5-10 IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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S29CD016J1MFAM112

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Produttore

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Serie

CD-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (512K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

56MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

54ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.75V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

80-FBGA (13x11)

QMP29GL01GP12FAI020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Adesto Technologies

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

85MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8µs, 2.75ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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