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R1LP5256ESA-7SI#B0

R1LP5256ESA-7SI#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1LP5256ESA-7SI#B0
PNEDA Part # R1LP5256ESA-7SI-B0
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LP5256ESA-7SI#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LP5256ESA-7SI#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LP5256ESA-7SI#B0, R1LP5256ESA-7SI#B0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 239,19 KB)
PDFR1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LP5256ESA-7SI#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-TSOP

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

W97AH2KBQX2E

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (32M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (2x3)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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