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R1LP5256ESA-5SI#S1

R1LP5256ESA-5SI#S1

Solo per riferimento

Numero parte R1LP5256ESA-5SI#S1
PNEDA Part # R1LP5256ESA-5SI-S1
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.768
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LP5256ESA-5SI#S1 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LP5256ESA-5SI#S1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LP5256ESA-5SI#S1, R1LP5256ESA-5SI#S1 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 239,19 KB)
PDFR1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LP5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LP5256ESA-5SI#S1 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-TSOP

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Tipo di memoria

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Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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