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R1LP0108ESF-7SR#B0

R1LP0108ESF-7SR#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1LP0108ESF-7SR#B0
PNEDA Part # R1LP0108ESF-7SR-B0
Descrizione IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.426
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LP0108ESF-7SR#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LP0108ESF-7SR#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LP0108ESF-7SR#B0, R1LP0108ESF-7SR#B0 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 190,44 KB)
PDFR1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LP0108ESN-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LP0108ESF-7SR#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP (8x20)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NAND512W3A2SZA6F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

MT40A256M16LY-062E AUT:F

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (7.5x13.5)

MT53B512M16D1Z11NWC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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