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R1EX24256BSAS0I#U0

R1EX24256BSAS0I#U0

Solo per riferimento

Numero parte R1EX24256BSAS0I#U0
PNEDA Part # R1EX24256BSAS0I-U0
Descrizione IC EEPROM 256K I2C 400KHZ 8SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.154
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1EX24256BSAS0I#U0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1EX24256BSAS0I#U0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1EX24256BSAS0I#U0, R1EX24256BSAS0I#U0 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 304,99 KB)
PDFR1EX24256BSAS0I#U0 Datasheet Copertura
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R1EX24256BSAS0I#U0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Dimensione della memoria

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Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Dimensione della memoria

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Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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